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70V261S55PF

70V261S55PF

僅供參考

型號 70V261S55PF
PNEDA編號 70V261S55PF
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V261S55PF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V261S55PF
類別半導體內存IC內存

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70V261S55PF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小256Kb (16K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存接口

-

時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

32Gb (512M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

2133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

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