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70V3389S5BCI8

70V3389S5BCI8

僅供參考

型號 70V3389S5BCI8
PNEDA編號 70V3389S5BCI8
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3389S5BCI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3389S5BCI8
類別半導體內存IC內存

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70V3389S5BCI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小1.125Mb (64K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (256K x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

209-BGA

供應商設備包裝

209-LFBGA (14x22)

AT49LV001-90TI

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

IS61C6416AL-12KI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-SOJ

7005L20GB

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

68-BPGA

供應商設備包裝

68-PGA (29.46x29.46)

24LC1025-E/SN

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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