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70V3399S133BC8

70V3399S133BC8

僅供參考

型號 70V3399S133BC8
PNEDA編號 70V3399S133BC8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3399S133BC8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3399S133BC8
類別半導體內存IC內存

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70V3399S133BC8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小2Mb (128K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存接口

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45ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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