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70V3399S133BFI

70V3399S133BFI

僅供參考

型號 70V3399S133BFI
PNEDA編號 70V3399S133BFI
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3399S133BFI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3399S133BFI
類別半導體內存IC內存

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70V3399S133BFI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小2Mb (128K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存類型

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內存大小

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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