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70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

僅供參考

型號 70V3579S4BFG
PNEDA編號 70V3579S4BFG
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3579S4BFG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3579S4BFG
類別半導體內存IC內存

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70V3579S4BFG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小1.125Mb (32K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存大小

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內存接口

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訪問時間

35ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

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內存格式

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256Gb (32G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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