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70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

僅供參考

型號 70V3579S4DRG
PNEDA編號 70V3579S4DRG
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3579S4DRG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3579S4DRG
類別半導體內存IC內存

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70V3579S4DRG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小1.125Mb (32K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-WFBGA

供應商設備包裝

200-WFBGA (10x14.5)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2.1V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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