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70V3589S133DR

70V3589S133DR

僅供參考

型號 70V3589S133DR
PNEDA編號 70V3589S133DR
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3589S133DR資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3589S133DR
類別半導體內存IC內存

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70V3589S133DR規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

ON Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - UV

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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