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70V631S12BFI

70V631S12BFI

僅供參考

型號 70V631S12BFI
PNEDA編號 70V631S12BFI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V631S12BFI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V631S12BFI
類別半導體內存IC內存

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70V631S12BFI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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安裝類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

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安裝類型

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內存接口

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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