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70V658S10BC8

70V658S10BC8

僅供參考

型號 70V658S10BC8
PNEDA編號 70V658S10BC8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V658S10BC8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V658S10BC8
類別半導體內存IC內存

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70V658S10BC8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

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包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, SDI, DTR

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

4.5µs

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

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工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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