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70V7319S200BC

70V7319S200BC

僅供參考

型號 70V7319S200BC
PNEDA編號 70V7319S200BC
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V7319S200BC資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V7319S200BC
類別半導體內存IC內存

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70V7319S200BC規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.4ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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安裝類型

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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