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70V9369L9PF

70V9369L9PF

僅供參考

型號 70V9369L9PF
PNEDA編號 70V9369L9PF
描述 IC SRAM 288K PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V9369L9PF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V9369L9PF
類別半導體內存IC內存

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70V9369L9PF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小288Kb (16K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間9ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (2K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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內存類型

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FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

150ns

電壓-供電

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安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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