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71256L35YG8

71256L35YG8

僅供參考

型號 71256L35YG8
PNEDA編號 71256L35YG8
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71256L35YG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71256L35YG8
類別半導體內存IC內存

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71256L35YG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

1.125Mb (32K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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