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71256S25TDB

71256S25TDB

僅供參考

型號 71256S25TDB
PNEDA編號 71256S25TDB
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71256S25TDB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71256S25TDB
類別半導體內存IC內存

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71256S25TDB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-CDIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝28-CDIP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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Surface Mount

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