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71256S85DB

71256S85DB

僅供參考

型號 71256S85DB
PNEDA編號 71256S85DB
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71256S85DB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71256S85DB
類別半導體內存IC內存

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71256S85DB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-CDIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝28-CerDip

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

70ns

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

288Kb (16K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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