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7130LA100JI

7130LA100JI

僅供參考

型號 7130LA100JI
PNEDA編號 7130LA100JI
描述 IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7130LA100JI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7130LA100JI
類別半導體內存IC內存

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7130LA100JI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝52-PLCC (19.13x19.13)

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

12µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

36Kb (4K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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