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7130LA55J/2930

7130LA55J/2930

僅供參考

型號 7130LA55J/2930
PNEDA編號 7130LA55J-2930
描述 IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7130LA55J/2930資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7130LA55J/2930
類別半導體內存IC內存

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7130LA55J/2930規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝52-PLCC (19.13x19.13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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