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7130LA55PFI8

7130LA55PFI8

僅供參考

型號 7130LA55PFI8
PNEDA編號 7130LA55PFI8
描述 IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7130LA55PFI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7130LA55PFI8
類別半導體內存IC內存

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7130LA55PFI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LQFP
供應商設備包裝64-TQFP (14x14)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

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安裝類型

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