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7132SA100J8

7132SA100J8

僅供參考

型號 7132SA100J8
PNEDA編號 7132SA100J8
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7132SA100J8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7132SA100J8
類別半導體內存IC內存

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7132SA100J8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝52-PLCC (19.13x19.13)

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Volatile

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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