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71T75602S133BGG8

71T75602S133BGG8

僅供參考

型號 71T75602S133BGG8
PNEDA編號 71T75602S133BGG8
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71T75602S133BGG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71T75602S133BGG8
類別半導體內存IC內存

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71T75602S133BGG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2.6ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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