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71T75602S150BGG8

71T75602S150BGG8

僅供參考

型號 71T75602S150BGG8
PNEDA編號 71T75602S150BGG8
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71T75602S150BGG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71T75602S150BGG8
類別半導體內存IC內存

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71T75602S150BGG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-TSOP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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CY7C1461KV33-133AXCT

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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