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71T75802S150BG

71T75802S150BG

僅供參考

型號 71T75802S150BG
PNEDA編號 71T75802S150BG
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價
1 ---------- $389.2026
50 ---------- $370.9587
100 ---------- $352.7148
200 ---------- $334.4710
400 ---------- $319.2677
500 ---------- $304.0645
庫存 2,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71T75802S150BG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71T75802S150BG
類別半導體內存IC內存

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71T75802S150BG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

9ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

128-LQFP

供應商設備包裝

128-TQFP (14x20)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

RAM

技術

SGRAM - GDDR5

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.25GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.65V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

170-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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