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71T75802S150BGGI8

71T75802S150BGGI8

僅供參考

型號 71T75802S150BGGI8
PNEDA編號 71T75802S150BGGI8
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71T75802S150BGGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71T75802S150BGGI8
類別半導體內存IC內存

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71T75802S150BGGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

-

內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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