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71V016SA12BFI

71V016SA12BFI

僅供參考

型號 71V016SA12BFI
PNEDA編號 71V016SA12BFI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 48CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V016SA12BFI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V016SA12BFI
類別半導體內存IC內存

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71V016SA12BFI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LFBGA
供應商設備包裝48-CABGA (7x7)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-miniBGA (9x11)

IS42VM32160E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (16K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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