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71V124SA10TYG8

71V124SA10TYG8

僅供參考

型號 71V124SA10TYG8
PNEDA編號 71V124SA10TYG8
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V124SA10TYG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V124SA10TYG8
類別半導體內存IC內存

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71V124SA10TYG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.15V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝32-SOJ

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

30ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

GL-P

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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