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71V2556S150PFG8

71V2556S150PFG8

僅供參考

型號 71V2556S150PFG8
PNEDA編號 71V2556S150PFG8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V2556S150PFG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V2556S150PFG8
類別半導體內存IC內存

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71V2556S150PFG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

70MHz

寫周期-字,頁

7µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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IDT, Integrated Device Technology

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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54-VFBGA (6x9)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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