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71V256SA12YGI

71V256SA12YGI

僅供參考

型號 71V256SA12YGI
PNEDA編號 71V256SA12YGI
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V256SA12YGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V256SA12YGI
類別半導體內存IC內存

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71V256SA12YGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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時鐘頻率

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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0°C ~ 70°C (TA)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

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-40°C ~ 85°C (TA)

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