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71V25761S200BG

71V25761S200BG

僅供參考

型號 71V25761S200BG
PNEDA編號 71V25761S200BG
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V25761S200BG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V25761S200BG
類別半導體內存IC內存

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71V25761S200BG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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8-SOIC

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

Everspin Technologies Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

RAM

技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (16M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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