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71V30S55TF8

71V30S55TF8

僅供參考

型號 71V30S55TF8
PNEDA編號 71V30S55TF8
描述 IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V30S55TF8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V30S55TF8
類別半導體內存IC內存

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71V30S55TF8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LQFP
供應商設備包裝64-TQFP (10x10)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

8Kb (512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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Cypress Semiconductor

制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

72Mb (8M x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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制造商

Adesto Technologies

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

CBRAM®

技術

CBRAM

內存大小

256kb (64B Page Size)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

100µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

CY7C1381KV33-133AXC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x20)

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