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71V3556S100PFGI8

71V3556S100PFGI8

僅供參考

型號 71V3556S100PFGI8
PNEDA編號 71V3556S100PFGI8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V3556S100PFGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V3556S100PFGI8
類別半導體內存IC內存

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71V3556S100PFGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

MT46V16M8P-6TL:DTR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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