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71V3556SA100BQI

71V3556SA100BQI

僅供參考

型號 71V3556SA100BQI
PNEDA編號 71V3556SA100BQI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V3556SA100BQI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V3556SA100BQI
類別半導體內存IC內存

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71V3556SA100BQI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

105ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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寫周期-字,頁

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