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71V3557S75BGI8

71V3557S75BGI8

僅供參考

型號 71V3557S75BGI8
PNEDA編號 71V3557S75BGI8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V3557S75BGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V3557S75BGI8
類別半導體內存IC內存

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71V3557S75BGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

256-LBGA

供應商設備包裝

256-CABGA (17x17)

CAT28F010HR-12T

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

120ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

CY7C1520UV18-300BZXC

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制造商

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

SST25WF080-75-4I-ZAE

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

25µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-CSP

S29GL032N90FFIS12

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

GL-N

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

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