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71V3559S75BQ8

71V3559S75BQ8

僅供參考

型號 71V3559S75BQ8
PNEDA編號 71V3559S75BQ8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V3559S75BQ8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V3559S75BQ8
類別半導體內存IC內存

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71V3559S75BQ8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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時鐘頻率

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-VFBGA

供應商設備包裝

60-FBGA (8x9)

AS7C4098A-20TINTR

Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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