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71V35761SA166BQG

71V35761SA166BQG

僅供參考

型號 71V35761SA166BQG
PNEDA編號 71V35761SA166BQG
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V35761SA166BQG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V35761SA166BQG
類別半導體內存IC內存

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71V35761SA166BQG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

2ms

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOT-23-6

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

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