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71V35761SA183BGGI

71V35761SA183BGGI

僅供參考

型號 71V35761SA183BGGI
PNEDA編號 71V35761SA183BGGI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V35761SA183BGGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V35761SA183BGGI
類別半導體內存IC內存

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71V35761SA183BGGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率183MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.3ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

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