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71V3576S150PFGI8

71V3576S150PFGI8

僅供參考

型號 71V3576S150PFGI8
PNEDA編號 71V3576S150PFGI8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V3576S150PFGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V3576S150PFGI8
類別半導體內存IC內存

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71V3576S150PFGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

60µs

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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