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71V3577S75BQI

71V3577S75BQI

僅供參考

型號 71V3577S75BQI
PNEDA編號 71V3577S75BQI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V3577S75BQI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V3577S75BQI
類別半導體內存IC內存

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71V3577S75BQI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率117MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

9ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

86-TSOP II

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內存類型

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內存格式

PSRAM

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PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

40ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-VBGA

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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