71V416S10YG8
僅供參考
| 型號 | 71V416S10YG8 |
| PNEDA編號 | 71V416S10YG8 |
| 描述 | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 3,060 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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71V416S10YG8資源
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | 71V416S10YG8 |
| 類別 | 半導體 › 內存IC › 內存 |
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71V416S10YG8規格
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | SRAM |
| 技術 | SRAM - Asynchronous |
| 內存大小 | 4Mb (256K x 16) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | - |
| 寫周期-字，頁 | 10ns |
| 訪問時間 | 10ns |
| 電壓-供電 | 3V ~ 3.6V |
| 工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| 供應商設備包裝 | 44-SOJ |
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