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71V424S12PHG8

71V424S12PHG8

僅供參考

型號 71V424S12PHG8
PNEDA編號 71V424S12PHG8
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V424S12PHG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V424S12PHG8
類別半導體內存IC內存

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71V424S12PHG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

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