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71V632S6PFG8

71V632S6PFG8

僅供參考

型號 71V632S6PFG8
PNEDA編號 71V632S6PFG8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V632S6PFG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V632S6PFG8
類別半導體內存IC內存

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71V632S6PFG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小2Mb (64K x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電3.135V ~ 3.63V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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48-TFBGA

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

60µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

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