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71V65603S100BQG

71V65603S100BQG

僅供參考

型號 71V65603S100BQG
PNEDA編號 71V65603S100BQG
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65603S100BQG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65603S100BQG
類別半導體內存IC內存

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71V65603S100BQG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存接口

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訪問時間

45ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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