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71V65603S133BGI8

71V65603S133BGI8

僅供參考

型號 71V65603S133BGI8
PNEDA編號 71V65603S133BGI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65603S133BGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65603S133BGI8
類別半導體內存IC內存

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71V65603S133BGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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內存格式

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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