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71V65603S133PFG

71V65603S133PFG

僅供參考

型號 71V65603S133PFG
PNEDA編號 71V65603S133PFG
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65603S133PFG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65603S133PFG
類別半導體內存IC內存

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71V65603S133PFG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40ns

訪問時間

40ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-VFBGA

供應商設備包裝

100-VFBGA (6x6)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

FLASH, RAM

技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

137-TFBGA (10.5x13)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

80-LQFP

供應商設備包裝

80-TQFP (14x14)

MT47H128M8B7-5E L:A TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

600ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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