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71V65703S85BGGI8

71V65703S85BGGI8

僅供參考

型號 71V65703S85BGGI8
PNEDA編號 71V65703S85BGGI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65703S85BGGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65703S85BGGI8
類別半導體內存IC內存

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71V65703S85BGGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間8.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

71V65703S75BG

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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訪問時間

35ns

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2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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