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71V65803S150BGI8

71V65803S150BGI8

僅供參考

型號 71V65803S150BGI8
PNEDA編號 71V65803S150BGI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65803S150BGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65803S150BGI8
類別半導體內存IC內存

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71V65803S150BGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x20)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

48ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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