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71V67602S133BGG8

71V67602S133BGG8

僅供參考

型號 71V67602S133BGG8
PNEDA編號 71V67602S133BGG8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67602S133BGG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67602S133BGG8
類別半導體內存IC內存

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71V67602S133BGG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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內存接口

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寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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