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71V67602S133PFGI8

71V67602S133PFGI8

僅供參考

型號 71V67602S133PFGI8
PNEDA編號 71V67602S133PFGI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67602S133PFGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67602S133PFGI8
類別半導體內存IC內存

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71V67602S133PFGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Fremont Micro Devices Ltd

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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