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71V67903S75BQI8

71V67903S75BQI8

僅供參考

型號 71V67903S75BQI8
PNEDA編號 71V67903S75BQI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67903S75BQI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67903S75BQI8
類別半導體內存IC內存

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71V67903S75BQI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率117MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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