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80EPF12

80EPF12

僅供參考

型號 80EPF12
PNEDA編號 80EPF12
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

80EPF12資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號80EPF12
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
80EPF12, 80EPF12數據表 (總頁數: 8, 大小: 193.6 KB)
PDF80EPF12數據表 封面
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80EPF12規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)80A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 80A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)480ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

SMB (DO-214AA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

VS-15ETH03-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

FRED Pt®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

32ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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