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93AA76CT-I/MNY

93AA76CT-I/MNY

僅供參考

型號 93AA76CT-I/MNY
PNEDA編號 93AA76CT-I-MNY
描述 IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

93AA76CT-I/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號93AA76CT-I/MNY
類別半導體內存IC內存

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93AA76CT-I/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小8Kb (1K x 8, 512 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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Volatile

內存格式

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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Winbond Electronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Winbond Electronics

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

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90-VFBGA (8x13)

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