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A2I20H060NR1

A2I20H060NR1

僅供參考

型號 A2I20H060NR1
PNEDA編號 A2I20H060NR1
描述 IC TRANS RF LDMOS
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2I20H060NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2I20H060NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2I20H060NR1, A2I20H060NR1數據表 (總頁數: 31, 大小: 961.72 KB)
PDFA2I20H060NR1數據表 封面
A2I20H060NR1數據表 頁面 2 A2I20H060NR1數據表 頁面 3 A2I20H060NR1數據表 頁面 4 A2I20H060NR1數據表 頁面 5 A2I20H060NR1數據表 頁面 6 A2I20H060NR1數據表 頁面 7 A2I20H060NR1數據表 頁面 8 A2I20H060NR1數據表 頁面 9 A2I20H060NR1數據表 頁面 10 A2I20H060NR1數據表 頁面 11

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A2I20H060NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率1.84GHz
增益28.9dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試24mA
功率-輸出12W
電壓-額定65V
包裝/箱TO-270-15 Variant, Flat Leads
供應商設備包裝TO-270WB-15

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

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包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

PTF210451F V1

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制造商

Infineon Technologies

系列

GOLDMOS®

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.17GHz

增益

14dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

45W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

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ATF-50189-TR2

Broadcom

制造商

Broadcom Limited

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

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電壓-測試

4.5V

額定電流(安培)

1A

噪聲系數

1.1dB

當前-測試

280mA

功率-輸出

29dBm

電壓-額定

7V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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PTFA080551E-V4-R0

Cree/Wolfspeed

制造商

Cree/Wolfspeed

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

869MHz ~ 960MHz

增益

18.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

55W

電壓-額定

65V

包裝/箱

H-36265-2

供應商設備包裝

H-36265-2

BSS83,235

NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

50mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

10V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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